Integrālās shēmas sastāv no pusvadītāju materiāla, parasti silīcija, plānajām kārtiņām. Galvenie soļi shēmu planāro struktūru izgatavošanā ir slāņu uzklāšana, fotolitogrāfija, kodināšana un piejaukuma jonu implantēšana. Piejaukuma joni funkcionalizē materiāla reģionus par n-tipa vai p-tipa pusvadītājiem, kas ir pamatelementi, lai izveidotu sarežģītākas elektronikas komponentes – diodes un tranzistorus. Slāņos tiek iestrādāti arī elektrisko strāvu vadoši reģioni, kas kalpo par savienojumiem starp atsevišķajām komponentēm. Pēc izgatavošanas tās shēmas, kas iztur testēšanu, ievieto izturīgos plastmasas korpusos. Savienošanai ar citām elektronikas komponentēm tiek izmantoti korpusam piestiprināti metāla kontakti.
Modernos čipos var ietilpt vairāk nekā miljards atsevišķo komponenšu, tādēļ shēmu dizaina veidošanā tiek izmantota specializēta datorprogrammatūra un datubāzēs pieejamie komponenšu slēgumi. Integrālās shēmas struktūra nosaka tās darbības principus un iespējamos pielietojumus.