Pusvadītājos ir divu veidu lādiņnesēji – negatīvi (n) elektroni un pozitīvi (p) caurumi. Lai nodrošinātu izvēlēto lādiņnesēju pārākumu, pusvadītājus funcionalizē, ievadot tajos noteiktus piejaukuma elementus. Ceturtās grupas n-tipa pusvadītājos (silīcijā, germānijā) parasti ievada periodiskās tabulas piektās grupas elementus (piemēram, fosforu vai arsēnu), kas kristālam nodrošina papildu elektronus, p-tipa pusvadītājos tiek ievadīti trešās grupas (bors, alumīnijs, gallijs) elementi, kas pamatvielas elektronus piesaista saišu veidošanai, kristālā efektīvi radot caurumus. Līdzīgi kā elektroni, caurumi pa kristālu pārvietojas un piedalās strāvas vadīšanā.

P-n pārejas diodes struktūras shematisks attēlojums.
P-n pārejas tipa diodi veido p-tipa un n-tipa pusvadītāju apgabali. Apgabalu savienojuma vietā izveidojas p-n pārejas zona, kurā lādiņnesēji difundē no viena apgabala uz otru līdz termodinamiskā līdzsvara iestāšanās brīdim. Rezultātā p-n pārejas apgabalā izveidojas no lādiņnesējiem brīvs sprostslānis (depletion layer), kas rada iekšēju elektrisko lauku un kavē tālāku lādiņnesēju difūziju.
Pusvadītāju diode ir elektronikas komponente ar vienu p-n pāreju. Ja “p” apgabalam tiek pielikts pietiekami liels pozitīvs elektriskais spriegums, diode darbojas strāvas caurlaides režīmā un vada elektrību. Lai elektriskā strāva neplūstu caur diodi, spriegums jāpieliek sprostvirzienā, tas ir, “p” apgabalam negatīvs. Ja sprostvirzienā tiek pielikts spriegums, kas pārsniedz maksimāli pieļaujamo vērtību, strāva pieaug lavīnveidīgi un diodes materiāls var tikt sagrauts.